2004年7月初，由中國科學院半導體所承擔的“高質量４～６英寸砷化鎵單晶產業化技術研究”項目，順利通過了北京市科委新材料項目專家組的驗收。在此基礎上研制成功了我國第一個５英寸液封直拉法（ＬＥＣ）砷化鎵單晶，以及我國最重最長４英寸、６英寸液封直拉法（ＬＥＣ）砷化鎵單晶。

據了解，國際上大直徑半絕緣砷化鎵(SI-GaAs)單晶的發展非常迅速，主要用于移動通信、電子信息

技術、全球衛星定位系統，因此研究開發4英寸～6英寸直徑的半絕緣砷化鎵單晶的生長技術和晶片加工技術對于

我國微電子和光電子產業非常重要。為推動我國化合物半導體材料、器件及電路的發展，2001年8月中科院半

導體所承擔了“高質量4～6英寸砷化鎵單晶產業化技術研究”研制項目。

半導體所擁有一批中青年專家組成的高素質的研究隊伍，具有技術研究開發所需的人力資源，承擔任務后，科

技人員經過三年的不斷攻關，重點研究和解決了大直徑半絕緣砷化鎵(SI-GaAs)單晶從研究到生產的重復

穩定性、可靠性及成品率等各項實用化關鍵工藝技術問題，在大直徑半絕緣砷化鎵單晶生長工藝技術和晶片加工工

藝技術研發取得了突破性進展，使晶體質量、加工技術都達到國際先進水平。研制成功我國第一個5英寸液封直拉

法(LEC)砷化鎵單晶，研制成功我國最重最長4英寸、6英寸液封直拉法(LEC)砷化鎵單晶，成為國內通

過相關應用部門及美國、中國臺灣等芯片制造商“客戶認證”的晶片供應商。

一直以來，大直徑半絕緣砷化鎵單晶晶片的重復性、穩定性和批量加工工藝都是加工技術的難點，半導體所科

研人員與中科鎵英半導體公司一起，共同開展了對大直徑單晶生長工藝關鍵技術和晶片加工技術的研究。經過一年

的不斷努力，終于在現有設備上掌握了半絕緣砷化鎵單晶材料實用化技術，實現了3英寸和4英寸半絕緣砷化鎵單

晶實用化批量生產。獲得了高遷移率3英寸和4英寸半絕緣砷化鎵單晶的生長技術、最佳退火技術及雜質控制技術。

研制成功了一批具有高電子遷移率、高縱向和徑向電阻率均勻性高熱穩定性的3英寸和4英寸半絕緣砷化鎵單

晶，并保持了生產產品一致性、重復性的工藝技術。

“開盒即用”技術是晶片加工中最難掌握的又一關鍵技術，為掌握這一技術，科研人員充分利用現有設備，采

用化學腐蝕、精密拋光和清洗等一系列方法，經過不斷探索，科研人員完全掌握了開盒即用晶片加工技術，使晶片

加工達到國際先進水平，已經成為國內唯一一家掌握“開盒即用(Epi-ready)”并通過國際標準和客戶

認證的產業化技術。

科研人員還全面完成了“SI-GaAs單晶材料研制保障條件建設”工藝線廠房和支撐條件的設計和施工，

并完成了砷化鎵單晶生產線項目工藝設備的安裝、調試及驗收。此項目的完成不僅能穩定、重復和批量提供優質材

料，還將提高我國重點工程所需用電路和器件的成品率、性能和可靠性，確保重大項目的完成，具有重大的社會效

益。