多晶硅（polycrystalsilicon）
多晶硅（polycrystalsilicon）由大量取向不同的小的硅單晶體構成的薄膜或體硅材料稱為多晶硅。非摻雜的多晶硅具有很高的電阻率，一般為106～107Ωcm。多晶硅中由于大量晶粒間界的...
聚合物半導體（polymersemiconductor）
聚合物半導體（polymersemiconductor）聚合物是由單體聚合而成具有鏈狀結構的大分子所構成的材料，聚合物半導體指具有半導體性質的聚合物，電導率在10-8～103(Ωcm)-1范圍內。聚合...
硫系玻璃（chalcogenide）
硫系玻璃（chalcogenide）除氧外含有硫、硒、碲等硫系元素的玻璃稱為硫系玻璃。硫系原子最外層有6個原子(s2p4)，可以和本身或其他2個原子形成共價鍵，因而硫系原子以曲折鏈連接成...
玻璃半導體（glasssemiconductor）
玻璃半導體（glasssemiconductor）是指由無機氧化物（如二氧化硅和氧化硼）和過渡金屬離子（如鐵、銅、鉬、釩和鉻等）組成的氧化玻璃半導體和非氧化物（如硫、硒、磷、碲、硅和鍺...
鐵電半導體（ferroelectricsemiconductor）
鐵電半導體（ferroelectricsemiconductor）當半導體材料的結構不具有對稱中心時，它便可能具有壓電性，這種半導體稱為壓電半導體。如果同時其元胞中的正負電荷重心不重合，便可出...
壓電半導體（piezoelectricsemiconductor）
壓電半導體（piezoelectricsemiconductor）某些電介質，當沿著一定方向對其施力而使它變形時，內部就產生極化現象，同時在它的兩個表面上產生符號相反的電荷，當外力去掉后，又重...
氧化物半導體（oxidesemiconductor）
氧化物半導體（oxidesemiconductor）指具有半導體特性的氧化物。如MnO、Cr2O3、FeO、Fe2O3、CuO、SnO2和ZnO等。大多數氧化物半導體的主要用途是制作熱敏電阻，它們的電阻值隨溫度...
液態半導體（liquidsemiconductor）
液態半導體（liquidsemiconductor）液態半導體具有液體的流動性，并且有晶體的光學異向性。其分子呈長形或其他規則形狀，具有各向異性的物理性質，在一定的溫度范圍內分子呈規則排...
化合物半導體（compoundsemiconductor）
化合物半導體（compoundsemiconductor）通常所說的化合物半導體多指晶態無機化合物半導體，它是由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導體材料。化合物半導體數量最多，研究出的約有...
元素半導體（elementalsemiconductor）
元素半導體（elementalsemiconductor）指僅由一種元素組成的半導體材料。它們都處于Ⅲ族～Ⅶ族的金屬與非金屬的交界處。元素半導體因由單一元素組成，故在純度、結構完整性和均勻...