導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種材料。其能量系統(tǒng)分為許可能帶和禁帶，禁帶處于價(jià)帶和導(dǎo)帶之間。半導(dǎo)體的禁帶寬度較窄，在室溫下由熱激發(fā)就可能引起顯著的電離。熱電離產(chǎn)生自由電子和自由空穴，半導(dǎo)體的導(dǎo)電過(guò)程依賴(lài)于這兩種載流子。在半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)將大大改變其導(dǎo)電能力，可制得摻雜半導(dǎo)體。如果材料中自由電子密度大于自由空穴密度稱(chēng)n型半導(dǎo)體，反之稱(chēng)為p型半導(dǎo)體。未摻雜、無(wú)缺陷的半導(dǎo)體具有相等的自由電子和自由空穴密度稱(chēng)為本征半導(dǎo)體，而摻雜的半導(dǎo)體稱(chēng)為非本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體一般是晶體材料，通常由四價(jià)或平均為四價(jià)的原子組成的類(lèi)金剛石材料，硅和鍺是常見(jiàn)的單質(zhì)半導(dǎo)體，砷化鎵是最常見(jiàn)的化合物半導(dǎo)體。