用半導體材料制造的具有結型二極管結構的電致發光器件。目前廣泛應用的發光二極管主要用Ⅲ-Ⅴ族二元或三元化合物制成。它主要利用pn結正向注入非平衡載流子的輻射復合而發光。除了pn結發光二極管，還有其他結構的，例如用不同禁帶寬度的材料制成的異質結及雙異質結結構，金屬-半導體肖特基結構及金屬-絕緣體-半導體（MIS）結構。Ⅱ-Ⅵ族化合物都是寬禁帶直接帶隙材料，是理想的發光二極管材料，但由于自補償效應等原因，大部分不能制成兩性導電的材料，因而尚無簡單的方法獲得pn結，這方面的研究還在繼續。