雜質對半導體的性能起著決定性的影響。這不僅是因為在晶體的制備過程中很難避免雜質的混入，更主要的是為了控制半導體的性能制成有用的器件往往還要人為并且有控制地加入某些雜質。對完全純凈的半導體，一般在室溫下只有少量的價帶電子熱激發到導帶而形成電子空穴對，導電能力很弱，這種情況只要向半導體內摻入少量的雜質就能改變。其中一些雜質，離化能很小，在常溫下就能電離，向導帶提供電子，或接受價帶電子導電為主的n型半導體或以空穴導電為主的p型半導體。同時雜質本身成為帶正電或負電的離子，這種雜質稱為施主雜質或受主雜質。當雜質原子的價電子數和主晶格原子的相關兩個以上時，原則上說，在半導體中也可以起施主或受主作用，但常常因為離化能較大，在常溫下對半導體的載流子（電子和空穴的總稱）濃度影響不大，常被稱為深能級雜質。但是許多這樣的雜質，即使數量很少，也能在半導體中起到有效復合中心作用，促進非平衡載流子的復合，減小非平衡載流子壽命，從而影響半導體的光電導、光吸收和光發射以及器件的開關參數。