含有大量硅氫鍵的非晶硅稱為氫化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氫合金，a-Si:H中含氫量達3～50。a-Si:H通常采用輝光放電法或濺射法制備，其電導及光電性質密切依賴于制備條件。a-Si:H中的氫能夠補償非晶硅中大量存在的懸掛鍵，使其缺陷態密度大大降低，從而導致a-Si:H具有顯著的摻雜效應，電導率可改變約10個量級。a-Si:H具有比晶體硅更高的光電導響應，光電導與暗電導比值可達104～105。a-Si:H的光學帶隙約1.7eV，對整個太陽光譜的吸收系數大于104cm-1，1μm厚的a-Si:H薄膜可以實現對太陽光譜的完全吸收，因此它成為廉價太陽電池的基礎材料。a-Si:H的另一重要用途是用a-Si:H制作的薄膜場效應管作為液晶顯示屏的開關矩陣。