三星發布超高密度SSD芯片

在本月初，閃迪和東芝正式發布了雙方聯合研發的世界首款256Gbit(32GB)、48層堆疊、3bpc固態硬盤。但這個領先優勢并沒有保持太久，因為日前三星也正式帶來了自己同類型技術。

三星將這款自主研發的固態硬盤芯片命名為V-NAND，它的配置參數同樣為256Gbit、48層堆疊和3bpc，密度是傳統128Gbit NAND閃存芯片的兩倍。除了實現32GB(256Gbit)的單Die容量外，這款芯片還能輕松實現兩倍于三星現有固態硬盤系列的容量，并成為多TB固態硬盤的理想解決方案。

容量的增加可以帶來一個簡單、明顯且重要的影響，那就是讓硬盤以更小的體積存儲更多的數據。舉個例子，在首次研發出48層堆疊芯片之后，三星就緊接著發布了2TB 850 Evo和Pro固態硬盤。

在技術到位之后，緊接著就是生產的競賽了。閃迪和東芝透露，我們要等到2016年才會看到使用這種芯片的產品問世。而三星目前還未公布任何的產品計劃，無論是在消費類還是企業市場。那么究竟誰才會率先推出搭載這種超級芯片的固態硬盤?我們就只能拭目以待了。

SSD

固態硬盤(Solid State Drives)，簡稱固盤，固態硬盤(Solid State Drive)用固態電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態硬盤在接口的規范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同，在產品外形和尺寸上也完全與普通硬盤一致。被廣泛應用于軍事、車載、工控、視頻監控、網絡監控、網絡終端、電力、醫療、航空、導航設備等領域。

其芯片的工作溫度范圍很寬，商規產品(0~70℃)工規產品(-40~85℃)。雖然成本較高，但也正在逐漸普及到DIY市場。由于固態硬盤技術與傳統硬盤技術不同，所以產生了不少新興的存儲器廠商。廠商只需購買NAND存儲器，再配合適當的控制芯片，就可以制造固態硬盤了。新一代的固態硬盤普遍采用SATA-2接口、SATA-3接口、SAS接口、MSATA接口、PCI-E接口、NGFF接口、CFast接口和SFF-8639接口。