物理性質

性狀：立方晶系，高純度半導體。
密度（g/cm³）：4.4 。

合成方法

在一個由兩區間構成的石英安瓿中進行反應，該安瓿置于具有極大溫度梯度的爐子中加熱。按化學計量稱取極細釔粉和磷，分別置于兩區間中，加熱使磷蒸氣與釔粉完全反應直至磷從區間中消失為止。在磷區間中加入少量(毫克級)氫化鈾，通過該氫化物的熱分解在安瓿中產生少量H2分壓，增加反應速度。如此直接合成的產物是不均勻的，只適合于作為單晶生長的起始物質。要獲得單相物質，必須經過長時間和精細的退火過程。包括在保護氣(稀有氣體)或真空下研磨、粒化和加熱。適用于固態物理研究的高純度單相粉末樣品最好在保護氣下研磨精心挑選的單晶來制備。